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霍尔效应测试仪霍尔效应的测量是研究半导体的重要实验方法。
浏览次数:674发布日期:2019-07-01

霍尔效应测试仪产品概况:

霍尔效应的测量是研究半导体的重要实验方法。利用霍尔系数和电导率的联合测量,变温霍尔实验仪可以用来确定半导体的导电类型和载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率温度的变化,可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数。

霍尔效应测试仪采用现代电子技术和计算机数据采集系统,对霍尔样品钻弱场条件下进行变温霍尔系数和电导率的测量,来确定半导体材料的各种性质。

霍尔效应测试仪技术参数:

电  磁  铁:0-300mT可调

励磁电源:0-可调,可自动换向

稳  定  性:<±0.1%

数字特斯拉计:0-2000mT三位半数字显示

恒流源输出:1mA

稳  定  性:±0.1%

数据采集系统霍尔电压测量分辨率:1uV

温度变化测量范围:80-400K

工作电源:AC 220V;50Hz

功率范围:200W

变温霍尔.jpg

霍尔效应测试仪实验装置:

变温霍尔测试仪主要是由电磁铁、可自动换向稳流源、恒温器、测温控温系统、数据采集及数据处理系统等。

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